图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 700 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 5.5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 2.3 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 275@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TP-FA |
| 包装长度 | 6.5 |
| PCB | 2 |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 引脚数 | 3 |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 700 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 11 A |
| RDS（ON） | 210 mOhms |
| 功率耗散 | 35 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 栅极电荷Qg | 21 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 105 ns |
| 上升时间 | 25 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 55 ns |
| 工厂包装数量 | 700 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Qg - Gate Charge | 21 nC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 210 mOhms |
| 典型导通延迟时间 | 9.5 ns |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| 技术 | Si |
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